ساخت صفحات لمسی حساس به رطوبت

به گزارش افکار نیوز به نقل از ايسنا، سيستمهاي پيشرفته امروزي ميتواند از حسگرهاي رطوبتي بهرهمند شود، در اين سيستمها نياز به تماس مستقيم وجود ندارد، در عوض مولکولهاي آب موجود در اطراف انگشت موجب ميشود تا صفحه پاسخ مناسب ارائه کند.

«یی زای» استاد دانشگاه علم و فناوری چین می‌گوید: حساسیت پاسخ رطوبتی، وابسته به ساختار مرز دانه‌ها و الکتروپوزیتیویته اتم‌های فلزی بکار رفته در آن است. این حساسیت بشدت متاثر از پاسخ‌های الکتریکی بوجود آمده توسط محرک‌ رطوبتی است. بنابراین با استفاده از نانوورقه‌های فوق‌العاده نازک می‌توان ادواتی تولید کرد که حساسیت زیادی به رطوبت داشته باشد. در این ساختارهای دو بعدی که مساحت سطحی ویژه آنها بسیار بالا است، می‌توان سایت‌های جذب کننده مولکول‌های آب را تقویت کرد.

«زای» می‌افزاید: الکتروپوزیویته اتم مرکزی که یک فاکتور مهم در پاسخ‌دهی رطوبتی است، برای انتخاب مواد جهت ساخت این ادوات مورد توجه قرار گرفته است. نتایج این تحقیق در قالب مقاله‌ای تحت عنوان «Giant Moisture Responsiveness of VS۲ Ultrathin Nanosheets for Novel Touchless Positioning Interface» در نشریه «Advanced Materials» به چاپ رسیده است.

برای این که حساسیت و انعطاف‌پذیری پیکسل‌های حسگری در این سیستم افزایش یابد، این تیم تحقیقاتی از نانوورقه‌های دی سولفید وانادیوم استفاده کردند. این گروه دریافتند که نانوورقه‌های دی سولفید وانادیوم که دارای ساختار الکترونیکی دوبعدی، هستند می‌تواند در تولید صفحات لمسی حساس به رطوبت مورد استفاده قرار گیرند.

در کارهای پیشین، «زای» و همکارانش روشی برای لایه لایه کردن دی اکسید وانادیوم یافتند تا با استفاده از آن نانوورقه‌های بسیار نازک تولید کنند. نتایج این کار در قالب مقاله‌ای تحت عنوان «Metallic Few - Layered VS۲ Ultrathin Nanosheets: High Two - Dimensional Conductivity for In - Plane Supercapacitors» در نشریه «JACS» به چاپ رسیده است.

در اين پروژه اخير، از نانوورقههاي دي اکسيد واناديوم براي توليد ادوات انعطافپذير استفاده شد. در اين پروژه محققان دريافتند که هدايت الکتريکي فيلمهاي جهتدار بشدت به رطوبت محيط وابسته است، بطوري که با افزايش رطوبت از صفر به صد درصد، مقدار مقاومت الکتريکي ۱۰۰ برابر افزايش مييابد. دو ويژگي مهم در اين سيستمها، سرعت بالاي پاسخدهي و زمان کوتاه بازگشت به حالت اوليه است.