به گزارش افکارنیوزبه نقل از ايسنا، يافتههاي اين تحقيق در قالب مقالهاي تحت عنوان Electrical Contacts to one- and two-dimensional nanomaterials در نشريه Nature Nanotechnology به چاپ رسيده است. در اين مقاله پژوهشگران به توضيح مدلهاي موجود براي اتصالات الکتريکي پرداختند؛ مدلهايي که براي مواد تودهاي بوده، اما قابل استفاده براي نانوساختارها نيز است. آنها معتقدند براي توسعه نانوسيستمها و استفاده از آنها، بايد بار را در اتصالات الکتريکي کنترل کرد.

برای ارائه مدل‌های جدید لازم است که انتقال بار و نحوه تشکیل اتصالات به درستی شناخته شود. در اتصالات رایج، سطح تماس میان فلز و نیمه‌هادی کاملا صاف است، اما اتصالات نانومقیاس امکان بروز اشکال هندسی مختلفی را دارند که هر شکل دارای خواص منحصر به‌فرد خود است. سینتیک و ترمودینامیک محل تماس نانوساختار / فلز با آن چه که مواد توده‌ای دارند، تفاوت عمده‌ای دارد. دلیل این امر ابعاد جانبی کوچک اتصالات نانومقیاس است.

در این مقاله سه مثال از اتصالات ذکر شده است که امکان تولید آن با نانومواد مختلف وجود دارد. اولین مثال مربوط به اتصالات نانوسیم سیلیکون / سیلیساید اپیتاکسیال با جهت‌گیری‌های جدید است که می‌تواند در دمایی پایین‌تر از آنچه که فیلم‌های نازک نیاز دارند، تشکیل شود. با این اتصالات فرصت‌های جدیدی برای تولید ادواتی نظیر منبع فلزی - خروجی MOSFETs و SpinFET فراهم می‌شود. دومین مثال مربوط به اتصال فلز به نانولوله کربنی است که موجب کربنیزه شدن اتصال شده و در نتیجه اتصالی شفاف از جنس گرافن - نانولوله‌کربنی ایجاد می‌شود. مثال سوم مربوط به اتصالی با مقاومت اهمی بسیار پایین برای نانوسیم‌های نیمه‌هادی است که منجر به بروز چالش‌هایی می‌شود. این نوع اتصالات نیازمند تقویت در مقیاس نانو است.

محققان در این مقاله چنین نتیجه‌گیری می‌کنند که درک بهتر از اتصالات نانومقیاس برای استفاده نانومواد در دستگاه‌های جدید ضروری است.